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English 无锡硅源科技有限公司（SISTC） 推出了一种突破性的 MEMS MIC 设计，利用 多膜厚度（MFT）光刻工艺 构建了一种新型阶 梯形轮廓空腔（S-CTC） 结构。这一创新有望显著提高下一代麦克风的信噪比（SNR）和灵敏度。
背景：MEMS 麦克风的结构为何重要
MEMS 麦克风，特别是 硅电容式麦克风在智能手机、物联网设备和医疗应用中，声学传感器已成为一个关键部件。目前的设计依赖于传统的盒式空腔（BC）结构，在这种结构中，只有约 2/3 的膜片能有效地传感声音，从而限制了电容和信噪比性能。
克服这一局限性的尝试包括 灰阶光刻（GSL），可以制造光滑的三维空腔结构。然而，由于超精细光罩的要求，GSL 的成本仍然很高 (SPIE - 用于三维微细加工的灰度光刻技术).
MFT 光刻技术的突破
目前 多膜厚度（MFT）掩膜 取代了多个蚀刻步骤。通过使用不同厚度（0、4、14 和 114 nm）的铬膜层，一次光刻曝光就能达到所需的效果。 3D 楼梯结构.
- 单一蚀刻步骤 取代昂贵的多步骤流程
- 实现电容增加：从 2.2 pF → 2.9 pF (~30%改进）
- 改进 信噪比和灵敏度 不增加模具尺寸或隔膜脆性
这样就可以 高性能 MEMS 麦克风 其成本可与当今的大众市场设计相媲美。
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性能和应用前景
增强的电容直接有助于 更高的信噪比这是声音清晰度的关键因素。随着智能手机越来越多地集成 每个设备 3-4 个麦克风因此，对更高信噪比解决方案的需求持续增长。
此外，这一进程还为 超低压传感 在高级应用中，例如
- 智能手机和物联网语音接口
- 可穿戴设备 要求始终使用麦克风
- 医疗设备包括高级 电子听诊器
竞争优势
与传统的 箱腔电容式麦克风， 梯形轮廓空腔（S-CTC） 这种设计最大限度地提高了膜片的运动和电容，从而在不增加过多成本的情况下实现了更好的性能。
目前 MFT 掩膜方法 因此，将 低成本优势 二进制光刻技术与 3D 精确度 先进的蚀刻工艺。
结论
SISTC 的 基于 MFT 的 MEMS 麦克风技术 这是 高 SNR、高成本效益的传声器制造.通过结构创新优化电容，SISTC 能够 新一代 MEMS MIC 解决方案 用于智能手机、物联网和医疗保健。
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